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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
52
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
52
读取速度,GB/s
15.3
10.1
写入速度,GB/s
9.8
7.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2176
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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