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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
15.3
20.5
写入速度,GB/s
9.8
16.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3616
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
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