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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
11.6
19.9
写入速度,GB/s
5.6
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1751
3357
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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