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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
比较
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
总分
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
11.6
18.2
写入速度,GB/s
5.6
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1751
3535
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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