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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
33
读取速度,GB/s
11.6
15.8
写入速度,GB/s
5.6
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1751
2824
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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