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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
A-DATA Technology 11137401 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology 11137401 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
14.9
15.1
写入速度,GB/s
9.6
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1921
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
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Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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