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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR5
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3098
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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