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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
14.9
13.3
写入速度,GB/s
9.6
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2204
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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