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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
43
左右 -8% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
40
读取速度,GB/s
14.9
14.6
写入速度,GB/s
9.6
9.0
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2436
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
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