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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
14.9
12.4
写入速度,GB/s
9.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1886
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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