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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
15.8
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2991
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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