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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
18.3
写入速度,GB/s
9.6
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3535
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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