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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
14.9
17.7
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3232
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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