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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.6
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2979
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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