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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
14.9
18.5
写入速度,GB/s
9.6
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3356
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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