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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
18.2
写入速度,GB/s
9.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3015
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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