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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
14.9
16.5
写入速度,GB/s
9.6
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3459
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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