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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
62
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
62
读取速度,GB/s
14.9
18.0
写入速度,GB/s
9.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2018
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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