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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
43
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
18
读取速度,GB/s
14.9
21.1
写入速度,GB/s
9.6
16.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3286
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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