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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
15.2
写入速度,GB/s
9.6
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2791
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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