RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
17.3
写入速度,GB/s
9.6
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3134
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link