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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
14.9
15.9
写入速度,GB/s
9.6
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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