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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
35
读取速度,GB/s
14.9
15.4
写入速度,GB/s
9.6
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3038
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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