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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
14.4
写入速度,GB/s
9.6
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2486
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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