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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
16.0
写入速度,GB/s
9.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3114
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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