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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
47
读取速度,GB/s
14.9
12.3
写入速度,GB/s
9.6
12.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2887
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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