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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
43
左右 -5% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
41
读取速度,GB/s
14.9
12.7
写入速度,GB/s
9.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2501
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
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