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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
69
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
69
读取速度,GB/s
14.9
13.6
写入速度,GB/s
9.6
6.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1598
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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