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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
18.3
写入速度,GB/s
9.6
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3409
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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