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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
19.7
写入速度,GB/s
9.6
17.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3917
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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