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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
14.9
22.7
写入速度,GB/s
9.6
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
4202
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
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