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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
14.9
17.6
写入速度,GB/s
9.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3683
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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