Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

总分

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

差异规格评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

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低于PassMark测试中的延时，ns

25 43

左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度，GB/s

19.5 14.9

测试中的平均数值
更快的写入速度，GB/s

16.2 9.6

测试中的平均数值
更高的内存带宽，mbps

17000 12800

左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

主要特点

存储器类型

DDR3 DDR4
PassMark中的延时，ns

43 25
读取速度，GB/s

14.9 19.5
写入速度，GB/s

9.6 16.2
内存带宽，mbps

12800 17000

Other

描述

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)

2506 3890

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

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Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

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Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB

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Kingston HP698651-154-MCN 8GB

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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

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Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB

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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

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