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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB 需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 43
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.7 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 15.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3564

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
内存RAM
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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