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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 70
    左右 39% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB 需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 70
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 1934

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