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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
74
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
74
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.6
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1779
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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