RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
9.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2880
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM的比较
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link