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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
14.9
12.0
写入速度,GB/s
9.6
7.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2324
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
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