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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9905598-044.A00G 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
15.7
写入速度,GB/s
9.6
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2609
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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