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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9965662-012.A01G 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.9
11.9
写入速度,GB/s
9.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2489
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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