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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB 需要考虑的原因
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 43
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2609

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Kingston KCRXJ6-MIE 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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