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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 43
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.3 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 13.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3072

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston 9905744-005.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
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Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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