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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
14.9
14.8
写入速度,GB/s
9.6
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2739
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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