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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
55
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
55
读取速度,GB/s
14.9
17.2
写入速度,GB/s
9.6
14.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2870
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
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