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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 43
    左右 -34% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 11.3
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 9.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2395

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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内存RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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