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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
14.9
14.7
写入速度,GB/s
9.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2908
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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