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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
14.3
写入速度,GB/s
9.6
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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