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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
27
读取速度,GB/s
14.9
15.0
写入速度,GB/s
9.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2809
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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