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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
13.4
写入速度,GB/s
9.6
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2825
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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