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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
55
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
55
读取速度,GB/s
14.9
9.3
写入速度,GB/s
9.6
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2078
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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